产品简介：高真空三温区CVD系统OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道质量流量控制器和高真空机组组成的CVD系统，其炉管直径为4″，温度可达1200℃，极限真空可达10-5torr，混气系统可对1-9种气体进行精确的混合，然后导入管式炉内部，可用来研究气体环境对材料的影响

产品简介：高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成，可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品（尺寸可达3″）的退火，并采用10KW的红外灯进行加热，升温速度可达120℃/s，配有RS485接口，可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线

产品简介：高真空CVD系统OTF-1200X-80-C2HV是由单温区管式炉、两路质子混气系统和高真空机组组成，工作温度可达1200℃，混气系统可以对两种气体进行精确的混气，然后导入管式炉内部，本系统极限真空度可达10-5torr

产品简介：带滑动法兰三温区CVD系统OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加热至1200℃，并通过调整三个温区而建立不同梯度的热场，可进行退火、扩散、在不同气氛中烧结样品及CVD等实验

产品简介：1700℃两通道混气高真空CVD系统GSL-1700X-4-C2HV是由单温区管式炉、两路质子混气系统和高真空机组组成，工作温度可达1600℃，混气系统可以对两种气体进行精确的混气，然后导入管式炉内部，本系统极限真空度可达10-5torr

产品简介：1700℃单温区三通道混气CVD系统GSL-1700X-F3LV是由单温区管式炉、三路浮子混气系统和双旋片式真空泵组成，工作温度可达1700℃，混气系统可以对三种气体进行精确的混气，真空度可达5×10-2torr