VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪2

产品简介： VTC-600-2HD 双靶磁控溅射仪是我公司自主新研制开发的一款高真空镀膜设备，可用于制备单 层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD 双靶磁控溅射仪配备有两个靶枪，一个弱磁靶用于非导电材料的溅射镀膜，一个强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，且具有体积小便于操作的优点，且可使用的材料范围广，是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。

 

产品型号	VTC-600-2HD 双靶磁控溅射仪
产品型号	VTC-600-2HD
安装条件	本设备要求在海拔 1000m 以下， 温度 25℃±15℃ ，湿度 55%Rh±10%Rh 下使用。   1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水） 2、电： AC220V 50Hz，必须有良好接地 3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度 99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带 Ø6mm 双 卡套接头）及减压阀 4、工作台： 尺寸 1500mm×600mm×700mm ，承重 200kg 以上 5、通风装置：需要
主要特点	1 、配置两个靶枪，一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，一个配套直流电源用于导 电性材料的溅射镀膜。
	2、可制备多种薄膜，应用广泛。 3、体积小，操作简便。

技术参数	1、电源电压： 220V    50Hz 2、功率： <2KW  （不含真空泵） 3、极限真空度： 9.0×10-4Pa 4、样品台加热温度： RT-500℃，精度±1℃（可根据实际需要提升温度） 5、靶枪数量： 2 个（可选配其他数量） 6、靶枪冷却方式：水冷 7、靶材尺寸： Ø2″， 厚度 0.1-5mm  （因靶材材质不同厚度有所不同）
	8 、直流溅射功率： 500W；射频溅射功率： 300W。（靶电源种类可选，可选择两个直流电源， 也可选择两个射频电源，或选则一个直流一个射频电源） 9、载样台： Ø140mm 10、载样台转速： 1rpm-20rpm 内可调 11、工作气体： Ar 等惰性气体 12、进气气路： 质量流量计控制 2 路进气，一路为 100SCCM ，另一路 为 200SCCM。
产品规格	1 、主机尺寸： 500mm ×560mm×660mm 2 、整机尺寸： 1300mm ×660mm×1200mm 3、重量： 160kg 4、真空室规格：φ 300×300mm
标准配件	1	直流电源控制系统	1 套
	2	射频电源控制系统	1 套
	3	膜厚监测仪系统	1 套
	4	分子泵（德国进口）	1 台
	5	冷水机	1 台
	6	冷却水管（Ø6mm）	4 根

可选配件	金、铟、银、白金等各种靶材

 

 

直流溅射,又称阴极溅射或二极溅射

溅射条件： 工作气压 10pa 左右， 溅射电压 3000V ，靶电流密度 0.5mA/cm2,薄膜沉积速率低于 0.1m/min。

工作原理： 先让惰性气体（通常为 Ar 气） 产生辉光放电现象产生带电的离子； 带电离子紧电场加速撞击靶 材表面， 使靶材原子被轰击而飞出来， 同时产生二次电子， 再次撞击气体原子从而形成更多的带电离子； 靶材原子携带着足够的动能到达被镀物（衬底） 的表面进行沉积。随着气压的变化， 溅射法薄膜沉积速率 将出现一个极大值， 但气压很低的条件下， 电子的自由程较长， 电子在阴极上消失的几率较大， 通过碰撞 过程引起气体分子电离的几率较低， 离子在阳极上溅射的同时发射出二次电子的几率又由于气压较低而相 对较小， 这些均导致低气压条件下溅射的速率很低。 在压力 1Pa 时甚至不易维持自持放电！ 随着气压的升 高，电子的平均自由程减小，原子的电离几率增加，溅射电流增加，溅射速率增加。

适宜溅射靶材种类为不易氧化的轻金属,如 Au,Ag,Pt等

射频溅射是利用射频放电等离子体中的正离子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在接地的基板表面的技 术。

工作条件： 射频溅射可以在 1Pa 左右的低压下进行， 溅射电压 1000V ，靶电流密度 1.0 mA/cm2，薄膜沉积 速率 0.5m/min。

工作原理： 人们将直流电源换成交流电源。由于交流电源的正负性发生周期交替，当溅射靶处于正半周时， 电子流向靶面， 中和其表面积累的正电荷， 并且积累电子， 使其表面呈现负偏压， 导致在射频电压的负半 周期时吸引正离子轰击靶材， 从而实现溅射。由于离子比电子质量大， 迁移率小， 不像电子那样很快地向 靶表面集中， 所以靶表面的点位上升缓慢， 由于在靶上会形成负偏压， 所以射频溅射装置也可以溅射导体 靶。在射频溅射装置中， 等离子体中的电子容易在射频场中吸收能量并在电场内振荡， 因此， 电子与工作气体分子碰撞并使之电离产生离子的概率变大，故使得击穿电压、放电电压及工作气压显著降低。

优点： 

1、可在低气压下进行，溅射速率高。

 

2、不仅可溅射金属靶，也可溅射绝缘靶，可以把导体，半导体，绝缘体中的任意材料薄膜化。

 

3、必须十分注意接地问题。

 

适宜溅射的靶材种类为各种类型的固体靶材,金属,半导体,绝缘体靶材均可溅射,尤为适用于易产生氧化绝缘

层的靶材.如 Al,Ti,Mg 等金属以及 TiQ2,ZnO 等氧化物靶材.