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描述:产品介绍:该种cell是在S型DAC基础上,采用高硬铍铜加工而成,被广泛用于低温无磁高压科学研究,能够满足轴向与径向进光需求,可以进行光学、X-Ray和同步辐射等相应的实验
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产品介绍:
该种cell是在S型DAC基础上,采用高硬铍铜加工而成,被广泛用于低温无磁高压科学研究,能够满足轴向与径向进光需求,可以进行光学、X-Ray和同步辐射等相应的实验。
Sm-I型cell技术说明:
压砧支撑材料:碳化钨;
加压机制:螺栓-碟簧加压
顶部张角:60度;底部张角:60度
DAC高度:35mm
DAC外径:47.64mm
工作距离:18mm
中心高度:6.89mm;中心孔径:6.94mm
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