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型号:

1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV

描述:产品简介:1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV是专门为在金属箔表面生长薄膜而设计的,特别是应用在新一代能源——柔性金属箔电极方面的研究

  • 厂商性质

    经销商
  • 更新时间

    2024-03-12
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详细介绍

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产品简介: 1200℃双管滑动式四通道混气 CVD 系统 OTF-1200X-4-C4LV 是专门为在金属箔表面生长薄膜 而设计的,特别是应用在新一代能源——柔性金属箔电极方面的研究。


产品型号

1200℃双管滑动式四通道混气 CVD 系统 OTF-1200X-4-C4LV

安装条件

本设备要求在海拔 1000m 以下, 温度 25℃±15℃ ,湿度 55%Rh±10%Rh 下使用。


1、水:不需要


2、电: AC220V 50Hz,必须有良好接地


3、气:设备腔室内需充注气体,需自备气瓶气源


4、工作台: 尺寸 1600mm×600mm×700mm ,承重 150kg 以上


5、通风装置:需要

主要特点

1、采用高纯氧化铝保温材料,保证了的温度均匀性。


2 、内炉膛表面涂有美国进口氧化铝涂层,可以提高反射率和保护炉膛洁净度。


3 、采用 PID 控制器 ,可以设置 30 段升降温程序。


4、金属箔缠绕在内管的外表面上发生 CVD 反应。


5、采用双管真空密封法兰,允许反应气体通过两管之间( 10mm 间隙)。


6、冷却气体直接通入内管。





7 、配有带 KF25 快接和波纹管的高速机械泵。


8、炉底部装有滑轨,炉体可从一端滑向另一端, 从而实现快速升温和降温。为了获得较快的 加热速度, 可以先将炉体预热, 然后滑至放置样品处; 为了获得较快的冷却速度, 可将炉 体滑至另一端,同时将冷气通入样品所在处。


9、密封法兰系统采用不锈钢制作。


10 、已通过 CE 认证。

技术参数

管式炉


1 、电源: 单相 AC 208V-240V    50Hz/60Hz    2.5KW 20A 保险丝)


2、石英管: 外管外径 Ø100mm ,内径 Ø96mm ,长 1400mm


内管外径 Ø80mm ,内径 Ø75mm ,长 1400mm

3、加热元件: 掺钼铁铬铝合金电阻丝(表面涂有氧化锆)


4、加热区域: 440mm


5、恒温区域: 120mm (± 1℃在 400-1100℃)


6 、工作温度:  1100 ,连续工作 1000


7、升降温速率: 20/min


8、控温精度:± 1


9、真空度: 10-3torr (机械泵), 10-5torr  (分子泵)

质量流量混气系统


1、质子流量计: 4 路精密质子流量计,数字显示,气体流量自动控制


MFC1 范围 0-100sccmMFC2 范围 0-200sccmMFC3 范围 0-200sccmMFC1 范围 0-500sccm

2、流量精度: 0.2%


3、气路: 4 路(每个气路都有一个独立的不锈钢针阀控制)


4、进出气口: 1/4"卡套





5、混气罐: 1 

产品规格

尺寸: 管式炉 550mm×380mm×520mm ,移动架 600mm×600mm×597mm


重量: 135kg

可选配件

1、分子泵


2、双温区管式炉


3、铜箔(生长石墨烯 150mm×150mm×25µm


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